23 November 2016

严格按照步骤操作!!!

Procedure

  1. 准备工作
    • 打开显示器
    • 检查电子束和离子束状态 Ion: 30kV 9.3nA ; Electron: 20kV 50pA
    • 打开Camera
    • vent,装样品,pump
    • pump的时候stage > take nav photo
    • 找到大概的位置,以样品左下角边缘Align X(如果不是第一次做,可以不做这个操作)
    • 移动到大概的位置,把样品台升到5mm左右,然后调焦距像散,link,样品台再升到4mm处
  2. Check Ion beam
    • 以chip name附近的的大十字为参考,倾转台子(5°–调节Z–52°–调节Z)
    • 在chip name附近(距离diamond边界>300um),刻蚀一个circle,参数: r=50nm, Z=10um, dwtime=100us
    • 检查刻出来的圆是否满足要求:
    1. 是否圆形,否则需调节Ion beam像散;
    2. 直径是否小于1um,否则需调Ion beam聚焦
      • 注意:尽量不要调节Ion beam;若偏差极大,不得不调节,先刻直径不小于15um的坑,离子束窗口低倍下尽快调节
  3. Milling rate
    • 上一步附近区域,调用streamfile文件:D:\Heli\sil file\streamfile\Milling Rate Cali\Cali-9.3nA-D10um-Depth 2.27um-HFW19um_Time 5min_MillRate600_Dose6187\0.str
    • 设置Ion beam窗口 HFW=19um,snapshot或双击F6,确定HFW已改为19um,将图形用鼠标拉至窗口中心,测量图形大小~10um,检查刻蚀时间无误后开始刻蚀
    • 测量坑的深度,测量模式选为cross-section,与设计深度2.27um和设计速率600nm^3/us对比得到实际刻蚀速率: milling rate=(measured depth/2.27)*600
  4. 测试SIL刻蚀
    • 超净间联网电脑上,远程桌面连接 \166.111.141.160 (username: yxxthu, password: 123)
    • Matlab中strfile程序,修改R_sil=4,修改MillRate为上一步所得值,运行程序,若无误刻蚀时间10min上下
    • 生成文件:D:\User\Heli\Matlab\SIL Stream\Stream files,拷贝至U盘、插入FIB左边电脑主机、sharedata中的文件夹、右边电脑D:\Heli…
    • 导入stream file,设置中心(0,0),修改HFW=4*8.4=34um,snapshot, check是否已修改,测量图形大小应近乎4*4.4=17.6um,check刻蚀时间无误后开始刻蚀
    • 刻蚀结束后,若形貌正常则刻蚀OK
  5. 定位做SIL
    • Align X: 台子转回0°,到marker区域,将电子束窗口全屏,放大倍数至只有3个间距30um的点marker,用两边间距60um的点Align X,Align多次至台子不再转动
    • 移至定位SIL附近一个十字marker,以此为参照调台子至52°
    • Ion beam窗口中HFW修改至~17.3um,snapshot,确定能看清十字,否则调节明暗对比度
    • Ion beam窗口中输入坐标,移到离定位原点marker斜对角的点marker(与定位原点相隔(±30um,±30um)),snapshot,双击该点,将窗口中心移至该点中心
    • Ion beam窗口中输入坐标,移到定位原点,snapshot,若窗口中心与点marker相差>100nm,需将台子转至0度重新Align X。
    • Ion beam窗口中输入坐标,移到NV定位的位置,用电子束缩小看一下NV是否在正确的位置上。注意:
    1. 输入坐标时要在Relative下;
    2. 坐标正负和单位mm;
    3. 每移到一个marker,打开电子束窗口check是否为想要的位置
      • Matlab中strfile程序,修改R_sil,MillRate为所需值,运行程序,观察刻蚀时间(5um-30min, 7um-1h, 10um-2h30min),生成文件拷贝至FIB电脑
      • 导入stream file,设置中心(0,0),修改HFW(文件名中有),snapshot, check是否已改,测量图形直径应近乎R_sil*4.4(误差1um),量一下SIL外边的直径,确认大小正确,check刻蚀时间无误后开始刻蚀
  6. 刻蚀完成之后
    • 使用电子束观察,并且测量刻蚀的结构尺寸,并且保存截图
    • 如果需要做下一个SIL,则重复上一个步骤;如果需要关闭仪器,则做下一个步骤
  7. 关闭
    • 暂停电子束和离子束扫描
    • 点击Sleep,它关闭了电子束和离子束,并且解除了link
    • 将样品台降到零高度
    • 暂停Camera图形
    • 关闭显示器


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